描述:ggraphene-supermarket 石墨烯/ h-BN薄膜的性質(zhì):單層h-BN膜上的單層石墨烯膜 轉(zhuǎn)移到285nm(p摻雜)SiO 2 / Si晶片上尺寸:1cmx1cm; 4包每個薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制該產(chǎn)品的覆蓋率約為98%薄膜是連續(xù)的,有小孔和有機殘留物高結(jié)晶質(zhì)量石墨烯薄膜預(yù)先單層(超過95%),偶爾有小的多層島(低于5%的雙層)
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graphene-supermarket 1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-4P
在SiO 2 / Si晶片上的CVD石墨烯/ CVD六方氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu) CVD Graphene Film/CVD h-BN Film Heterostructure on SiO2/Si wafer: 4 Pack石墨烯/ h-BN薄膜的性質(zhì):單層h-BN膜上的單層石墨烯膜 轉(zhuǎn)移到285nm(p摻雜)SiO 2 / Si晶片上 尺寸:1cmx1cm; 4包 每個薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的覆蓋率約為98% 薄膜是連續(xù)的,有小孔和有機殘留物 高結(jié)晶質(zhì)量 石墨烯薄膜預(yù)先單層(超過95%),偶爾有小的多層島(低于5%的雙層) 薄層電阻:430-800Ω/平方 石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長,然后轉(zhuǎn)移到SiO 2 / Si晶片上。 要在轉(zhuǎn)移前查看薄膜的特性,請參閱我們的相關(guān)產(chǎn)品銅箔上的石墨烯和銅箔上的h-BN。
硅/二氧化硅晶片的特性:氧化層厚度:285nm 顏色:紫羅蘭色 晶圓厚度:525微米 電阻率:0.001-0.005歐姆 - 厘米 型號/摻雜劑:P /硼 方向:<100> 前表面:拋光 背面:蝕刻
應(yīng)用:石墨烯/ hBN界面用于需要精確門控石墨烯,增加遷移率和減少散射的場合。 h-BN作為基于石墨烯的電子器件的基底具有吸引力,因為其表面原子級光滑,沒有懸空鍵,并且具有與石墨烯類似的結(jié)構(gòu)。 在石墨烯上使用我們的SiO2 / Si晶片上的h-BN將鼓勵您探索用于晶體管應(yīng)用的石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)
我們的石墨烯/ h-BN薄膜使用PMMA輔助轉(zhuǎn)移方法制造。 我們可以在4“晶圓上提供定制尺寸的石墨烯/ h-BN薄膜
學(xué)術(shù)參考石墨烯生長 在銅箔上大面積合成高質(zhì)量和均勻的石墨烯薄膜科學(xué)2009年6月5日:Vol。324.沒有。5932,pp.1312 - 1314 石墨烯轉(zhuǎn)移 用于高性能透明導(dǎo)電電極的大面積石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移,Li et.al.,Nano Lett。,2009,9(12),pp 4359-4363 走向清潔和無裂縫轉(zhuǎn)移石墨烯Liang et.al.,ACS Nano,2011,5(11),pp 9144-9153 石墨烯/ h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu) 石墨烯,六方氮化硼(h-BN)和石墨烯/ h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電學(xué)性質(zhì)和應(yīng)用 Materials Today Physics,Science Direct:Vol 2,September 2017,pp 6-34 第2卷,2017年9月,第6-34頁作者鏈接打開覆蓋面板 |
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SKU | 1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-4P | |
300.00美元 | ||